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存儲器是用來存儲程序和各種數(shù)據信息的記憶部件。存儲管理要實現(xiàn)的目的是為用戶提供方便、安全和充分大的存儲空間。隨著近年來的發(fā)展, 存儲器的變化日新月異, 各種新型存儲器進入市場, 普及針對新型存儲器的維護方法已經迫在眉睫。

在存儲器的尺寸、容量和可負擔性方面，消費類閃存驅動器已取得了巨大的進步，但新的機器學習和大數(shù)據應用程序正繼續(xù)推動對創(chuàng)新的需求。此外，支持云的移動設備和未來的物聯(lián)網節(jié)點也需要節(jié)能且體積更小的內存。而當前的閃存技術卻需要相對較大的電流來讀取或寫入數(shù)據。

反鐵電場效應晶體管(FET) 可以非易失性方式存儲1和0，這便意味著它不需要一直供電。東京大學工業(yè)科學研究所科學家開發(fā)了一種基于鐵電和FET的概念驗證3D堆疊存儲單元，該晶體管具有原子層沉積的氧化物半導體通道，其垂直設備結構還增加了信息密度并降低了操作能源需求。此外，他們還發(fā)現(xiàn)通過使用反鐵電體代替鐵電體，只需要很小的凈電荷，就能夠提高寫入的效率。

經驗證，該項器件在至少1000個周期內都可保持穩(wěn)定，并且研究人員還使用第一原理計算機模擬繪制了最穩(wěn)定的表面狀態(tài)。新方法或將極大地改善非易失性存儲器，催生新的更小、更環(huán)保的數(shù)據存儲器，有助于實現(xiàn)下一代消費電子產品。

(資料來源：科技日報)

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